Gallium(III)fosfide

Gallium(III)fosfife
Structuurformule en molecuulmodel
GaP-schijven (onzuiver)
GaP wafer (elektronica-kwaliteit)
Kristalstructuur van GaP
Algemeen
Molecuulformule	${\displaystyle {\ce {GaP}}}$
Andere namen	Galliumfosfide gallanylidynefosfaan
Molmassa	[1] 100,697 g/mol
SMILES	[Ga]#P
CAS-nummer	12063-98-8
PubChem	82901
Wikidata	Q421416
Beschrijving	bleek oranje vaste stof
Fysische eigenschappen
Dichtheid	[1] 4,138 g/cm³
Smeltpunt	[1] 1457 °C
Vlampunt	110 °C
Onoplosbaar in	water
Brekingsindex	2.964 (10 µm), 3.209 (775 nm), 3.590 (500 nm), 5.05 (354 nm)[2]
Geometrie en kristalstructuur
Kristalstructuur	Kubisch kristalstelsel (Zinkblende)[3]
Thermodynamische eigenschappen
ΔfHos	[4]−88,0 kJ/mol
Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar).
Portaal    Scheikunde

Gallium(III)fosfide, vaak ook als galliumfosfide benoemd, is een binaire verbinding van de elementen gallium (een hoofdgroepmetaal) en fosfor, met de formule ${\displaystyle {\ce {GaP}}}$. De stof wordt vooral gebruikt als halfgeleider met een indirecte bandgap van 2,24 eV bij kamertemperatuur. Onzuiver polykristallijn materiaal oogt bleek oranje of grijs. Ongedoteerde wafers zijn oranje, maar sterk gedoteerde wafers zijn donkerder ten gevolge van absorptie door vrije elektronen of positieve "gaten". De stof is geurloos en onoplosbaar in water.

GaP heeft een microhardheid van 9450 N/mm², een Debye-temperatuur van 173 °C en een lineaire uitzettingscoëfficiënt van 5,3*10^-6 K⁻¹ bij kamertemperatuur.^[3] Het wordt met zwavel, silicium of tellurium gedoteerd in de productie van n-type halfgeleiders. Zink wordt gebruikt om het p-type te verkrijgen.

Galliumfosfide wordt toegepast in optische systemen.^[5][6][7] De statische diëlektrische constante is 11,1 bij kamertemperatuur.^[8] De brekingsindex varieert tussen ~3,2 en 5,0 in het zichtbare spectrum, wat een grotere spreiding is dan de meeste halfgeleiders vertonen.^[2] In het transparante gebied is de brekingsindex groter dan voor bijna elk ander transparant materiaal, inclusief edelstenen als diamant of stoffen die voor speciale lenzen gebruikt worden zoals zinksulfide.

1. ↑ ^{a b c} (en) . (2016). GEEN TITEL OPGEGEVEN Ed.: Haynes, William M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.) pag.: 4.63 – CRC Press. ISBN 9781498754293
2. ↑ ^{a b} (en) . (2016). GEEN TITEL OPGEGEVEN Ed.: Haynes, William M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.) pag.: 12.156 – CRC Press. ISBN 9781498754293
3. ↑ ^{a b} (en) . (2016). GEEN TITEL OPGEGEVEN Ed.: Haynes, William M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.) pag.: 12.80 – CRC Press. ISBN 9781498754293
4. ↑ (en) . (2016). GEEN TITEL OPGEGEVEN Ed.: Haynes, William M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.) pag.: 5.20 – CRC Press. ISBN 9781498754293
5. ↑ (en) Wilson, Dalziel J.; Schneider, Katharina; Hönl, Simon; Anderson, Miles; Baumgartner, Yannick; Czornomaz, Lukas; Kippenberg, Tobias J.; Seidler, Paul (January 2020). Integrated gallium phosphide nonlinear photonics. Nature Photonics 14 (1): 57–62. ISSN: 1749-4893. DOI: 10.1038/s41566-019-0537-9. Gearchiveerd van origineel op 29 november 2022.
6. ↑ Cambiasso, Javier, Grinblat, Gustavo, Li, Yi, Rakovich, Aliaksandra, Cortés, Emiliano (8 februari 2017). Bridging the Gap between Dielectric Nanophotonics and the Visible Regime with Effectively Lossless Gallium Phosphide Antennas. Nano Letters 17 (2): 1219–1225. ISSN: 1530-6984. PMID 28094990. DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b05026.
7. ↑ (en) Rivoire, Kelley; Lin, Ziliang; Hatami, Fariba; Masselink, W. Ted; Vučković, Jelena (7 december 2009). Second harmonic generation in gallium phosphide photonic crystal nanocavities with ultralow continuous wave pump power. Optics Express 17 (25): 22609–22615. ISSN: 1094-4087. PMID: 20052186. DOI: 10.1364/OE.17.022609. Gearchiveerd van origineel op 17 juli 2020.
8. ↑ (en) . (2016). GEEN TITEL OPGEGEVEN Ed.: Haynes, William M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.) pag.: 12.85 – CRC Press. ISBN 9781498754293